英诺达荣获“年度技术突破EDA公司奖”，引领后摩尔时代芯片能效革新

2025年3月27、28日，在上海举办的国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shanghai 2025）上，本土EDA企业英诺达携其创新技术成果亮相，并凭借在低功耗设计领域的突破性贡献，荣获“2025年中国IC设计成就奖——年度技术突破EDA公司奖”。

在中国IC领袖峰会论坛上，英诺达EDA研发副总裁李英梦博士发表了题为《算法驱动早期功耗优化——加速后摩尔时代芯片能效跃迁》的演讲，详细介绍了国内首款RTL功耗优化EDA工具——EnFortius^®凝锋^®RPE（ERPE）。该工具通过内建核心算法，在设计早期阶段即可精准识别功耗优化关键点，显著降低后期迭代成本，助力芯片设计实现能效目标。

李英梦博士表示：“ERPE的推出标志着国产EDA工具在低功耗设计领域的重要突破。其核心优势在于将功耗分析与优化前移至RTL阶段，为设计团队提供切实可行的优化建议，从而缩短开发周期并提升芯片竞争力。”

今年，英诺达再度荣登电子工程专辑评定的TOP 10 EDA公司榜单，并凭借卓越的技术实力一举摘得年度技术突破EDA公司奖。ERPE产品的创新突破，源于英诺达在低功耗与静态验证工具领域的持续深耕，以及40余项发明专利支撑的核心技术。公司通过自主研发的EDA解决方案，为芯片设计的左移和能效提升提供关键支持，推动国产EDA技术从“可用”向“好用”跃进。

关于IIC Shanghai

作为国内集成电路领域最具影响力的年度盛会之一，IIC Shanghai聚焦全球半导体技术趋势与产业生态，汇聚产业链上下游企业，展示尖端产品与解决方案，为行业搭建交流合作平台。